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a，有人外电场作用下CBM和VBM的电荷密度分离。成果简介随着硅基技术达到绝对极限，体崩塌华东师范大学，体崩塌澳洲昆士兰大学，上海微系统与信息技术研究所，中国科学院大学，苏州大学，澳门科技大学，宁波大学联合研究小组设计的一种材料可能预示着下一代电子产品将拥有更大的内存、更快的速度和更先进的功能。通过将石墨烯绘制成窄带，成军已经引入了高达400meV的带隙，但制造过程仍面临重大挑战，载流子迁移率大大低于典型的石墨烯。

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在1.4Vnm−1的外加电场作用下，败仗AB层的带隙调制变化为0.6eV。

这项研究是重要的一步，有人但还需要做更多的工作，以更容易地以更低的成本生产这种材料。体崩塌在天然气（甲烷）直接转化制高值化学品和煤基合成气直接制低碳烯烃等研究领域取得重要研究进展。

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